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AA1F4N


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1F4N ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm, Rbe 47kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AA1F4N
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AA1F4N Datenblatt (jpg):-
AA1F4N Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AN1F4N
Ähnliche Typen:DTC124XS, [mehr]
DTC124XS,KSR1007,RN1008
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AA1F4N


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1F4N ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm, Rbe 47kOhm integriert
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AA1F4N


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1F4N ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm, Rbe 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
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Komplementär Typ:AN1F4N
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

KSR1007


SI NPN Transistor
ähnlich AA1F4N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >68
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der KSR1007 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR1007
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
KSR1007 Datenblatt (jpg):verfügbar
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KSR1007


SI NPN Transistor
ähnlich AA1F4N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >68
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der KSR1007 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
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KSR1007


SI NPN Transistor
ähnlich AA1F4N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >68
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der KSR1007 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
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Samsung Electronics CO. LTD.
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

RN1008


SI NPN Transistor
ähnlich AA1F4N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 250MHz
TJ -
der RN1008 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm, Rbe 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: RN1008
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-92
RN1008 Datenblatt (jpg):-
RN1008 Datenblatt (pdf):-
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RN1008


SI NPN Transistor
ähnlich AA1F4N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 250MHz
TJ -
der RN1008 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm, Rbe 47kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: RN1008
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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RN1008


SI NPN Transistor
ähnlich AA1F4N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 250MHz
TJ -
der RN1008 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm, Rbe 47kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: RN1008
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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RN1008 Datenblatt (jpg):-
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